Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-69870" >
Chemical vapor depo...
Chemical vapor deposition of tungsten schottky diodes to 6H-SiC
-
- Lundberg, N (författare)
- Uppsala universitet
-
- Ostling, M (författare)
- Uppsala universitet
-
- Tagtstrom, P (författare)
- Uppsala universitet
-
visa fler...
-
- Jansson, U (författare)
- Uppsala universitet
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ELECTROCHEMICAL SOC INC, 1996
- Engelska 1662-1667 s.
-
Ingår i: JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. - : ELECTROCHEMICAL SOC INC. ; 143:5
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Thermally stable tungsten Schottky contacts to low doped GH-silicon carbide (SiC) were fabricated via chemical vapor deposition at 670 K followed by a reactive ion etch to pattern the contacts. Physical characterization by x-ray diffraction, x-ray photoe
Nyckelord
- SILICON-CARBIDE; BARRIER DIODES; CONTACTS
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- ovr (ämneskategori)