Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-84849" >
Atomic layer epitax...
Atomic layer epitaxy of tungsten oxide films using oxyfluorides as metal precursors
-
Tagtstrom, P (författare)
-
Martensson, P (författare)
-
- Jansson, Ulf (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialkemi,Oorganisk kemi,oorganisk kemi
-
visa fler...
-
- Carlsson, Jan-Otto (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialkemi,Oorganisk kemi,oorganisk kemi
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 1999
- 1999
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of the Electrochemical Society. ; 146:8, s. 3139-3146
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Atomic layer epitaxy (ALE) of WO3 from WF6 and H2O has been studied. These precursors were found to yield very low deposition rates. This was attributed to a poor adsorption of WF6 on the oxide surface. Attempts to increase the adsorption of the metal so
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Oorganisk kemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Inorganic Chemistry (hsv//eng)
Nyckelord
- CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; THIN-FILMS; SURFACE-CHEMISTRY; GROWTH; SELECTIVITY; TANTALUM; KINETICS
- Inorganic chemistry
- Oorganisk kemi
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas