Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-99611" >
SB-MOSFETs in UTB-S...
SB-MOSFETs in UTB-SOI featuring PtSi source/drain with dopant segregation
-
- Zhang, Zhen (författare)
- KTH,Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Integrerade komponenter och kretsar
-
Qui, Z (författare)
-
- Hellström, Per-Erik (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa fler...
-
- Malm, Gunnar (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Olsson, Jörgen, 1966- (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,The Ångström Laboratory, Uppsala University
-
- Lu, J (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Uppsala University, Ångström Laboratory
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Zhang, S-L (författare)
- KTH,Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Qiu, Zhijun (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 29:1, s. 125-127
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- MOSFETs of both polarities with PtSi-based Schottky-barrier source/drain (S/D) have been fabricated in ultrathin-body Si-on-insulator. The PtSi is formed in the S/D regions without lateral silicide growth under the gate spacers. This design leads to a 30-nm underlap between the PtSi-Si contacts and the gate edges resulting in low drive currents. Despite the underlap, excellent performance is achieved for both types of MOSFETs with large drive currents and low leakage by means of dopant segregation through As and B implantation into the PtSi followed by drive-in annealing at low temperatures.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- dopant segregation (DS)
- MOSFETs
- platinum silicide
- Schottky-barrier lowering
- Schottky-barrier source/drain (SB-S/D)
- ultrathin-body Si-on-insulator (UTB-SOI)
- Electronics
- Elektronik
- Elektronik
- Electronics
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Zhang, Zhen
-
Qui, Z
-
Hellström, Per-E ...
-
Malm, Gunnar
-
Olsson, Jörgen, ...
-
Lu, J
-
visa fler...
-
Östling, Mikael
-
Zhang, S-L
-
Qiu, Zhijun
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
-
IEEE Electron De ...
- Av lärosätet
-
Uppsala universitet
-
Kungliga Tekniska Högskolan