Sökning: onr:"swepub:oai:dalea.du.se:2699" >
Growth of ultrathin...
Growth of ultrathin ZrO2 films on Si(100) : film-thickness-dependent band alignment
-
- Sandell, Anders (författare)
- Uppsala universitet,Fysiska institutionen,Fysik I,Fysik 1
-
- Karlsson, Patrik (författare)
- Uppsala universitet,Fysik I,Fysiska institutionen
-
- Richter, Jan Hinnerk (författare)
- Uppsala universitet,Fysiska institutionen,Fysik I
-
visa fler...
-
- Blomquist, Jakob (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Kemisk fysik,Enheten för fysikalisk och teoretisk kemi,Kemiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Chemical Physics,Physical and theoretical chemistry,Department of Chemistry,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Uvdal, Per (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Kemisk fysik,Enheten för fysikalisk och teoretisk kemi,Kemiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Chemical Physics,Physical and theoretical chemistry,Department of Chemistry,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Grehk, Mikael (författare)
- Högskolan Dalarna,Materialvetenskap
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Institute of Physics, 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : American Institute of Physics. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 88:13
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The band alignment of ultrathin ZrO2 films of different thickness formed on Si(100) have been monitored with synchrotron radiation photoelectron spectroscopy and x-ray absorption spectroscopy. The films were deposited sequentially by way of metal-organic chemical-vapor deposition in ultrahigh vacuum. A significant decrease in the conduction band offset is found for increasing film thickness. It is accompanied by a corresponding increase of the valence band offset. The variations originate in the formation of an interfacial layer characterized by a lower degree of Zr-O interaction than in bulk ZrO2 but with no clear evidence for partially occupied Zr 4d dangling bonds.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Atom- och molekylfysik och optik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Atom and Molecular Physics and Optics (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- metal oxides
- ZrO2
- band offset
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas