Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:027b04da-c39c-4777-8e11-50b02cd4ca00" >
Defect Structure of...
Defect Structure of High-Temperature-Grown GaMnSb/GaSb
-
Romanowski, P. (författare)
-
Bak-Misiuk, J. (författare)
-
Dynowska, E. (författare)
-
visa fler...
-
Domagala, J. Z. (författare)
-
- Sadowski, Janusz (författare)
- Lund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory
-
Wojciechowski, T. (författare)
-
Barcz, A. (författare)
-
Jakiela, R. (författare)
-
Caliebe, W. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2010
- 2010
- Engelska.
-
Ingår i: Acta Physica Polonica A. - 0587-4246. ; 117:2, s. 341-343
- Relaterad länk:
-
http://info.ifpan.ed... (free)
-
visa fler...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- GaMnSb/GaSb(100) layers with embedded MnSb inclusions have been grown at 720 K using MBE technique. This paper presents the investigation of the defect structure of Ga1-xMnxSb layers with different content of manganese (up to x = 0.07). X-ray diffraction method using conventional and synchrotron radiation was applied. Dimensions and shapes of inclusions were detected by scanning electron microscopy. Depth profiles of elements were measured using secondary ion mass spectroscopy technique.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas