SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:076ed1c9-e573-4779-a934-a6c4817ae792"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:076ed1c9-e573-4779-a934-a6c4817ae792" > Surface and core co...

Surface and core contribution to 1/f-noise in InAs nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Persson, Karl-Magnus (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Malm, B. Gunnar (författare)
KTH,Integrerade komponenter och kretsar
Wernersson, Lars-Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
 (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2013
2013
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 103:3
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • By measuring 1/f-noise in wrap-gated InAs nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with transport dominating, controllably, in either an inner, core channel, or an outer, surface channel, it is possible to accurately evaluate the material quality related Hooge-parameter, alpha(H), with reduced interference from the surface properties. The devices show low values of alpha(H) similar to 4 x 10(-5). At forward bias, where the data suggest that the 1/f-noise is dominated by the contribution from the high-k interface, devices show low values of normalized noise spectral density. (C) 2013 AIP Publishing LLC.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Annan fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Other Physics Topics (hsv//eng)

Nyckelord

Nanowire
Noise
mobility fluctuations
number fluctutations
InAs
Transistor
MOSFET
FET
high-k
hf02
al203
Low-Frequency Noise
Electrical Engineering

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Persson, Karl-Ma ...
Malm, B. Gunnar
Wernersson, Lars ...
Om ämnet
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
TEKNIK OCH TEKNO ...
och Elektroteknik oc ...
NATURVETENSKAP
NATURVETENSKAP
och Fysik
och Annan fysik
Artiklar i publikationen
Applied Physics ...
Av lärosätet
Lunds universitet
Kungliga Tekniska Högskolan

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy