Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:0ab4acf6-d38f-49f9-bda3-121030efbb9a" >
Nonlinear electrica...
Nonlinear electrical properties of Si three-terminal junction devices
-
Meng, Fantao (författare)
-
- Sun, Jie (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Graczyk, Mariusz (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
visa fler...
-
Zhang, Kailiang (författare)
-
Prunnila, Mika (författare)
-
Ahopelto, Jouni (författare)
-
Shi, Peixiong (författare)
-
Chu, Jinkui (författare)
-
- Maximov, Ivan (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Xu, Hongqi (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2010
- 2010
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 97:24
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This letter reports on the realization and characterization of silicon three-terminal junction devices made in a silicon-on-insulator wafer. Room temperature electrical measurements show that the fabricated devices exhibit pronounced nonlinear electrical properties inherent to ballistic electron transport in a three-terminal ballistic junction (TBJ) device. The results show that room temperature functional TBJ devices can be realized in a semiconductor material other than high-mobility III-V semiconductor heterostructures and provide a simple design principle for compact silicon devices in nanoelectronics. (C) 2010 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3526725]
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Meng, Fantao
-
Sun, Jie
-
Graczyk, Mariusz
-
Zhang, Kailiang
-
Prunnila, Mika
-
Ahopelto, Jouni
-
visa fler...
-
Shi, Peixiong
-
Chu, Jinkui
-
Maximov, Ivan
-
Xu, Hongqi
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Lunds universitet