SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:1c0d7997-8500-44c4-b7ed-01837d5c85e7"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:1c0d7997-8500-44c4-b7ed-01837d5c85e7" > Tunnel Field-Effect...

Tunnel Field-Effect Transistors Based on InP-GaAs Heterostructure Nanowires.

Ganjipour, Bahram (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Wallentin, Jesper (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Borgström, Magnus (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
visa fler...
Samuelson, Lars (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Thelander, Claes (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2012-03-13
2012
Engelska.
Ingår i: ACS Nano. - : American Chemical Society (ACS). - 1936-086X .- 1936-0851. ; 6:4, s. 3109-3113
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • We present tunneling field-effect transistors fabricated from InP-GaAs heterostructure nanowires with an n-i-p doping profile, where the intrinsic InP region is modulated by a top gate. The devices show an inverse subthreshold slope down to 50 mV/dec averaged over two decades with an on/off current ratio of approximately 10(7) for a gate voltage swing (V(GS)) of 1 V and an on-current of 2.2 μA/μm. Low-temperature measurements suggest a mechanism of trap-assisted tunneling, possibly explained by a narrow band gap segment of InGaAsP.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

  • ACS Nano (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Ganjipour, Bahra ...
Wallentin, Jespe ...
Borgström, Magnu ...
Samuelson, Lars
Thelander, Claes
Om ämnet
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
TEKNIK OCH TEKNO ...
och Nanoteknik
och Nanoteknik
Artiklar i publikationen
ACS Nano
Av lärosätet
Lunds universitet

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy