onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:62bb6111-2698-4e1f-abe2-e23330c2facf"
Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:62bb6111-2698-4e1f-abe2-e23330c2facf" > Anti-Stokes photolu...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Anti-Stokes photoluminescence probing k-conservation and thermalization of minority carriers in degenerately doped semiconductors
-
- Mergenthaler, K. (författare)
- Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Anttu, N. (författare)
- Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Vainorius, N. (författare)
- Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2017-11-21
- 2017
- Engelska.
- Ingår i: Nature Communications. - : Springer Science and Business Media LLC. - 2041-1723. ; 8:1
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- It has recently been found that anti-Stokes photoluminescence can be observed in degenerately n-doped indium phosphide nanowires, when exciting directly into the electron gas. This anti-Stokes mechanism has not been observed before and allows the study of carrier relaxation and recombination using standard photoluminescence techniques. It is important to know if this anti-Stokes photoluminescence also occurs in bulk semiconductors as well as its relation to carrier recombination and relaxation. Here we show that similar anti-Stokes photoluminescence can indeed be observed in degenerately doped bulk indium phosphide and gallium arsenide and is caused by minority carriers scattering to high momenta by phonons. We find in addition that the radiative electron-hole recombination is highly momentum-conserving and that photogenerated minority carriers recombine before relaxing to the band edge at low temperatures. These observations challenge the use of models assuming thermalization of minority carriers in the analysis of highly doped devices.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Mergenthaler, K.
- Anttu, N.
- Vainorius, N.
- Aghaeipour, M.
- Lehmann, S.
- Borgström, M. T.
- visa fler...
- Samuelson, L.
- Pistol, M. E.
- visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- Nature Communica ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
