Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:8f971e61-3cc3-45b9-98e4-22f87ffbabca" >
Unipolar and bipola...
Unipolar and bipolar operation of InAs/InSb nanowire heterostructure field-effect transistors
-
- Nilsson, Henrik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Caroff, Philippe (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Lind, Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
-
visa fler...
-
- Pistol, Mats-Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Thelander, Claes (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Wernersson, Lars-Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2011
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 110:6
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://lilloa.univ-...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We present temperature dependent electrical measurements on n-type InAs/InSb nanowire heterostructure field-effect transistors. The barrier height of the heterostructure junction is determined to be 220 meV, indicating a broken bandgap alignment. A clear asymmetry is observed when applying a bias to either the InAs or the InSb side of the junction. Impact ionization and band-to-band tunneling is more pronounced when the large voltage drop occurs in the narrow bandgap InSb segment. For small negative gate-voltages, the InSb segment can be tuned toward p-type conduction, which induces a strong band-to-band tunneling across the heterostructucture junction. (c) 2011 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3633742]
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas