Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:94c148e2-ff63-4ed1-a8ca-cada92a87069" >
Enhanced Anisotropi...
Enhanced Anisotropic Effective g Factors of an Al10.25Ga0.75N/GaN Heterostructure Based Quantum Point Contact
-
Lu, Fangchao (författare)
-
Tang, Ning (författare)
-
Huang, Shaoyun (författare)
-
visa fler...
-
- Larsson, Marcus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Maximov, Ivan (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Graczyk, Mariusz (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
Duan, Junxi (författare)
-
Liu, Sidong (författare)
-
Ge, Weikun (författare)
-
Xu, Fujun (författare)
-
Shen, Bo (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2013-10-01
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: Nano Letters. - : American Chemical Society (ACS). - 1530-6992 .- 1530-6984. ; 13:10, s. 4654-4658
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Gate-defined quantum point contacts (QPCs) were fabricated with Al0.25Ga0.75N/GaN heterostructures grown by metal organic chemical Vapor deposition (MOCVD). In the transport study of the Zeeman effect, greatly enhanced effective g factors (g*).were obtained. The in-plane g* is found to be 5.5 +/- 0.6, 4.8 0.4, and 4.2 0.4 for the first to the third subband, respectively. Similarly, the out-of-plane g* is 8.3 0.6, 6.7 0.7, and 5.1 0.7. Increasing g* with the population of odd-numbered spin-splitted subbands are obtabed at 14 T. This portion of increase is assumed to arise from the exchange interaction in one-dimensional systems. A careful analysis shows that not only the exchange interaction but the spin orbit interaction (SOI) in the strongly confined QPC contribunts to the enhancement and anisotropy of g* in different subbands. An approach to distinguish the respective contributions from the SOI and exchange interaction is therefore proposed.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Quantum point contacts (QPCs)
- Al0.25Ga0.75N/GaN heterostructures
- effective g factor
- spin orbit interaction (SO!)
- exchange interaction
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Lu, Fangchao
-
Tang, Ning
-
Huang, Shaoyun
-
Larsson, Marcus
-
Maximov, Ivan
-
Graczyk, Mariusz
-
visa fler...
-
Duan, Junxi
-
Liu, Sidong
-
Ge, Weikun
-
Xu, Fujun
-
Shen, Bo
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
-
och Nanoteknik
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Nano Letters
- Av lärosätet
-
Lunds universitet