Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:a5c5b9c9-20b3-46c4-a73d-6818658c2336" >
Vertical high mobil...
Vertical high mobility wrap-gated InAs nanowire transistor
-
- Bryllert, Tomas (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Samuelson, Lars (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
Jensen, L (författare)
-
visa fler...
-
- Wernersson, Lars-Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2005
- 2005
- Engelska 2 s.
-
Ingår i: 63rd Device Research Conference Digest, 2005. DRC '05. - 0780390407 ; 1
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10... (free)
-
visa fler...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We demonstrate a wrap-gated field effect transistor based on a matrix of vertically standing InAs nanowires (Jensen, et. al., 2004). A lower limit of the mobility, derived from the transconductance, is on the order of 3000 cm2/Vs. The narrow ~100 nm channels show excellent current saturation and a threshold of Vg = -0.15 V. The sub-threshold characteristics show a close to ideal slope of 62mV/decade over two orders of magnitude
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- wrap gated field effect transistor
- transconductance
- current saturation
- sub threshold characteristics
- InAs
- -0.15 V
- high mobility
- nanowire transistor
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas