Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:bd96e849-c2b9-4924-b4b2-b3be451705c4" >
In Situ Patterning ...
In Situ Patterning of Ultrasharp Dopant Profiles in Silicon
-
- Cooil, Simon P. (författare)
- Aberystwyth University,Norwegian University of Science and Technology
-
- Mazzola, Federico (författare)
- University of St Andrews,Norwegian University of Science and Technology
-
- Klemm, Hagen W. (författare)
- Fritz Haber Institute of the Max Planck Society
-
visa fler...
-
- Peschel, Gina (författare)
- Fritz Haber Institute of the Max Planck Society
-
- Niu, Yuran R. (författare)
- Lund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory
-
- Zakharov, Alexei A. (författare)
- Lund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory
-
- Simmons, Michelle Y. (författare)
- University of New South Wales
-
- Schmidt, Thomas (författare)
- Fritz Haber Institute of the Max Planck Society
-
- Evans, D. Andrew (författare)
- Aberystwyth University
-
- Miwa, Jill A. (författare)
- Aarhus University
-
- Wells, Justin W. (författare)
- Norwegian University of Science and Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2017-02-13
- 2017
- Engelska 6 s.
-
Ingår i: ACS Nano. - : American Chemical Society (ACS). - 1936-0851 .- 1936-086X. ; 11:2, s. 1683-1688
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
http://hdl.handle.ne...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We develop a method for patterning a buried two-dimensional electron gas (2DEG) in silicon using low kinetic energy electron stimulated desorption (LEESD) of a monohydride resist mask. A buried 2DEG forms as a result of placing a dense and narrow profile of phosphorus dopants beneath the silicon surface; a so-called δ -layer. Such 2D dopant profiles have previously been studied theoretically, and by angle-resolved photoemission spectroscopy, and have been shown to host a 2DEG with properties desirable for atomic-scale devices and quantum computation applications. Here we outline a patterning method based on low kinetic energy electron beam lithography, combined with in situ characterization, and demonstrate the formation of patterned features with dopant concentrations sufficient to create localized 2DEG states.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- 2DEG
- delta layers
- LEEM
- low-energy electron patterning
- PEEM
- silicon quantum confinement
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
-
ACS Nano
(Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Cooil, Simon P.
-
Mazzola, Federic ...
-
Klemm, Hagen W.
-
Peschel, Gina
-
Niu, Yuran R.
-
Zakharov, Alexei ...
-
visa fler...
-
Simmons, Michell ...
-
Schmidt, Thomas
-
Evans, D. Andrew
-
Miwa, Jill A.
-
Wells, Justin W.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
ACS Nano
- Av lärosätet
-
Lunds universitet