Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:e7b0265e-8006-491d-8214-4f82b8673562" >
Quasi-Free-Standing...
Quasi-Free-Standing Epitaxial Graphene on SiC Obtained by Hydrogen Intercalation
- Artikel/kapitelEngelska2009
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:lup.lub.lu.se:e7b0265e-8006-491d-8214-4f82b8673562
-
https://lup.lub.lu.se/record/1532210URI
-
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.103.246804DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Anmärkningar
-
Quasi-free-standing epitaxial graphene is obtained on SiC(0001) by hydrogen intercalation. The hydrogen moves between the (6 root 3 x 6 root 3) R 30 degrees reconstructed initial carbon layer and the SiC substrate. The topmost Si atoms which for epitaxial graphene are covalently bound to this buffer layer, are now saturated by hydrogen bonds. The buffer layer is turned into a quasi-free-standing graphene monolayer with its typical linear pi bands. Similarly, epitaxial monolayer graphene turns into a decoupled bilayer. The intercalation is stable in air and can be reversed by annealing to around 900 degrees C.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Coletti, C.
(författare)
-
Iwasaki, T.
(författare)
-
Zakharov, AlexeiLund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory(Swepub:lu)maxl-aza
(författare)
-
Starke, U.
(författare)
-
Lunds universitetMAX IV-laboratoriet
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Physical Review Letters103:241079-7114
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas