Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:e92fc757-61a4-4bee-a57c-de189afc671d" >
Improved breakdown ...
Improved breakdown voltages for type I InP/InGaAs DHBTs
-
- Lind, Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
-
Griffith, Zach (författare)
-
Rodwell, Mark J. W. (författare)
-
(creator_code:org_t)
- 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2008. IPRM 2008. - 1092-8669. ; , s. 504-507
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We have investigated the base-collector breakdown voltage of type I InGaAs/InP DHBTs, which is shown to be dominated by band-to-band tunneling in the base-collector grade. By optimizing the grade we obtain a 20% increase in the breakdown voltage compared with traditional grades.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- InP heterojunction bipolar transistor
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas