Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:1af68359-c8ae-42c1-aa5a-7ed71871ce8b" >
Photoluminescence E...
Photoluminescence Evolution with Deposition Thickness of Ge Nanostructures Embedded in GaSb
-
- Dou, Cheng (författare)
- Chinese Academy of Sciences,University of Shanghai for Science and Technology
-
- Chen, X (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Chen, Q. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa fler...
-
- Song, Y (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Ma, Nan (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhu, Liangqing (författare)
- Chinese Academy of Sciences,East China Normal University
-
Tan, Chuan Seng (författare)
-
- Han, Li (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Yu, Dengguang (författare)
- University of Shanghai for Science and Technology
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Shao, J. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2022-01-22
- 2022
- Engelska.
-
Ingår i: Physica Status Solidi (B): Basic Research. - : Wiley. - 1521-3951 .- 0370-1972. ; 259:4
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Herein, low-temperature and temperature-dependent photoluminescence (PL) measurements are carried out on highly tensile-strained Ge nanostructures embedded in GaSb matrix, and the effects of Ge deposition thickness are clarified. The direct-gap transition-related PL feature is successfully identified in the tensile-strained Ge nanostructures. While typical PL thermal quenching is observed for the tensile-strained Ge- and GaSb-related transitions in the samples with a Ge deposition being thinner than the critical thickness, a negative thermal quenching shows up for the GaSb interband transition in the samples with Ge deposition surpassing the critical thickness at which high-density nanoparticles form to relax the strain. A phenomenological thermal-injection model is established of electrons from the tensile-strained Ge layer to the GaSb matrix, the thermal quenching is accounted for, and a ladder-like function of the strain-relaxed Ge is clarified to favor the electron activation. The understanding of the effects of deposition thickness is helpful for the high-performance Ge-based light source for optoelectronic integration.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Annan fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Other Physics Topics (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik -- Annan materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering -- Other Materials Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Nanostructures
- Deposition
- Germanium
- Photoluminescence
- Antimony compounds
- Gallium compounds
- Quenching
- Temperature
- Light sources
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Dou, Cheng
-
Chen, X
-
Chen, Q.
-
Song, Y
-
Ma, Nan
-
Zhu, Liangqing
-
visa fler...
-
Tan, Chuan Seng
-
Han, Li
-
Yu, Dengguang
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
Shao, J.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Annan fysik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
och Annan materialte ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Physica Status S ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola