Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:21e0c309-7478-4818-aef3-4d3ce2265dd5" >
Novel Dilute Bismid...
Novel Dilute Bismides for IR Optoelectronics Applications
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Song, Yuxin, 1981 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Wang, Kai (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa fler...
-
- Gu, Yi (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhao Ternehäll, Huan, 1982 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Chen, X (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Ye, Hong, 1987 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Zhou, Haifei (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Kang, Chuanzheng (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Li, Yaoyao (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Cao, Cunfang (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhang, Liyao (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Shao, Jun (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Gong, Qian (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhang, Yonggang (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Washington, D.C. OSA, 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: Asia Communications and Photonics Conference, ACP. - Washington, D.C. : OSA. - 2162-108X.
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- III-V-Bi compounds reveal a number of attractive physical properties promising for novel IR optoelectronic applications [1,2] and have received considerable attention as witnessed by the dedicated international workshops on this topic in the consecutive past four years. The isoelectronic nature of Bi atoms in III-Vs induces strong interactions with the energy bands of host materials leading to large band-gap reduction, less temperature sensitive band-gap and large spin-orbit split band. So far the most studied material is Ga(N)AsBi, while other dilute bismides have also been reported recently. In this paper, we shall briefly review several novel bismides: GaSbBi, InSbiBi, InAsBi, InPBi and InGaAsBi, and the Bi surfactant effect from our group, all grown by molecular beam epitaxy (MBE).
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
Song, Yuxin, 198 ...
-
Wang, Kai
-
Gu, Yi
-
Zhao Ternehäll, ...
-
Chen, X
-
visa fler...
-
Ye, Hong, 1987
-
Zhou, Haifei
-
Kang, Chuanzheng
-
Li, Yaoyao
-
Cao, Cunfang
-
Zhang, Liyao
-
Shao, Jun
-
Gong, Qian
-
Zhang, Yonggang
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
- Artiklar i publikationen
-
Asia Communicati ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola