SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:31243cf9-8fe7-4243-80c5-fda5783165f4"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:31243cf9-8fe7-4243-80c5-fda5783165f4" > Double-Densified Ve...

Double-Densified VerticallyAligned Carbon Nanotube Bundles for Application in 3D Integration High Aspect Ratio TSV Interconnects

Mu, Wei, 1985 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Hansson, Josef, 1991 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Sun, Shuangxi, 1986 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa fler...
Edwards, Michael, 1986 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Fu, Yifeng, 1984 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Jeppson, Kjell, 1947 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Liu, Johan, 1960 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa färre...
 (creator_code:org_t)
ISBN 9781509012046
2016
2016
Engelska.
Ingår i: Proceedings - Electronic Components and Technology Conference. - 0569-5503. - 9781509012046 ; 2016-August, s. 211-216
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The treatment of densification by vapor on pristineMWCNT bundles are necessary to improve the effective area of the CNT TSV. However, the CNT bundles might tilt partly because of the non-uniform densification at root of the bundle, especially when it comes to the high aspect ratio CNT bundles. In order to solve these problems, a double densification process has been proposed and developed here. First of all, the shape of partial densified CNT bundles were optimized as a function of time. After several steps such as transferring of partial densified CNT bundles into the via, second densification, epoxy filling and chemical mechanical polishing, the CNT filled TSV with aspect ratio of 10 was achieved. The current voltage response of the CNT TSV interconnection indicated good electrical connection was formed. The resistivity of CNT bundles in via was calculated to be around 2-3 milli-ohmcm.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Nanoteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Nano-technology (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

kon (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy