Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:55db3a61-a77c-424c-930f-a0c74c2f6769" >
Influence of a thin...
Influence of a thin GaAs cap layer on structural and optical properties of InAs quantum dots
-
- Ferdos, Fariba, 1966 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Wei, Yongqiang, 1975 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Larsson, Anders, 1957 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Sadeghi, Mahdad, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Zhao, Qing Xiang, 1962 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 81:7, s. 1195-7
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- In this letter we investigate the changes in the surface morphology and emission wavelength of InAs quantum dots (QDs) during initial GaAs encapsulation by atomic force microscopy and photoluminescence. The density (2.9×1010 cm-2) and height (7.9±0.4 nm) of the uncapped QDs decrease and saturate at 0.6×1010 cm-2 and 4 nm, respectively, after the deposition of 4 monolayers (MLs) of GaAs. A model for the evolution of surface morphology is proposed. Photoluminescence spectra of the surface dots show a wavelength shift from 1.58 to 1.22 ?m when the GaAs capping layer thickness increases from 0 to 8 MLs.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- photoluminescence
- encapsulation
- surface structure
- gallium arsenide
- semiconductor quantum dots
- III-V semiconductors
- atomic force microscopy
- indium compounds
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Ferdos, Fariba, ...
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
Wei, Yongqiang, ...
-
Larsson, Anders, ...
-
Sadeghi, Mahdad, ...
-
Zhao, Qing Xiang ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Telekommunikatio ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola