Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:788cbbee-a385-454c-929c-5e47a4a24e95" >
Design and Fabricat...
Design and Fabrication of 4H-SiC RF MOSFETs
-
- Gudjonsson, Gudjon, 1973 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Allerstam, Fredrik, 1978 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Sveinbjörnsson, Einar, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Hjelmgren, Hans, 1960 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Nilsson, Per-Åke, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Andersson, Kristoffer, 1976 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Zirath, Herbert, 1955 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Rödle, Thomas (författare)
- Nxp Semiconductors Netherlands Bv
-
- Jos, Hendrikus, 1954 (författare)
- Nxp Semiconductors Netherlands Bv
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Transactions on Electron Devices. - 1557-9646 .- 0018-9383. ; 54:12, s. 3138-3145
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We present simulations, fabrication and analysis of 4H-SiC RF power MOSFETs. We obtain an extrinsic transition frequency of 11.2 GHz and an f max = 11.9 GHz, a breakdown voltage above 200 V and an output power of 1.9 W/mm at 3 GHz. The measured devices are double fingered, source-gate-draingate-source with 2 × 0.4 mm total gate width and the nominal channel length of the devices is 0.5 μm. To the authors knowledge, this is the highest transition frequency and output power density ever reported for SiC RF MOSFETs. The antipunchthrough is introduced as a way to take advantage of the SiC's material properties. A detailed description of the device processing is also given. © 2007 IEEE.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Gudjonsson, Gudj ...
-
Allerstam, Fredr ...
-
Sveinbjörnsson, ...
-
Hjelmgren, Hans, ...
-
Nilsson, Per-Åke ...
-
Andersson, Krist ...
-
visa fler...
-
Zirath, Herbert, ...
-
Rödle, Thomas
-
Jos, Hendrikus, ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
IEEE Transaction ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola