Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:78f4557f-3ff1-47ae-b1bf-a709c972cbee" >
A Radio Frequency S...
A Radio Frequency Single-Electron Transistor Based on an InAs/InP Heterostructure Nanowire
-
- Nilsson, Henrik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Duty, Tim, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Abay, Simon, 1980 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Wilson, Christopher, 1974 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Wagner, Jakob (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Centrum för analys och syntes,Kemiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Centre for Analysis and Synthesis,Department of Chemistry,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Thelander, Claes (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Delsing, Per, 1959 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Samuelson, Lars (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
Wilson, Chris (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2008-02-27
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: Nano Letters. - : American Chemical Society (ACS). - 1530-6992 .- 1530-6984. ; 8:3, s. 872-875
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We demonstrate radio frequency single-electron transistors fabricated from epitaxially grown InAs/InP heterostructure nanowires. Two sets of double-barrier wires with different barrier thicknesses were grown. The wires were suspended 15 nm above a metal gate electrode. Electrical measurements on a high-resistance nanowire showed regularly spaced Coulomb oscillations at a gate voltage from - 0.5 to at least 1.8 V. The charge sensitivity was measured to 32 mu e(rms) Hz (- 1/2) at 1.5 K. A low-resistance single-electron transistor showed regularly spaced oscillations only in a small gate-voltage region just before carrier depletion. This device had a charge sensitivity of 2.5 mu e(rms) Hz (- 1/2). At low frequencies this device showed a typical 1/f noise behavior, with a level extrapolated to 300 mu e(rms) Hz (- 1/2) at 10 Hz.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Nilsson, Henrik
-
Duty, Tim, 1963
-
Abay, Simon, 198 ...
-
Wilson, Christop ...
-
Wagner, Jakob
-
Thelander, Claes
-
visa fler...
-
Delsing, Per, 19 ...
-
Samuelson, Lars
-
Wilson, Chris
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Nano Letters
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola
-
Lunds universitet