Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:8a892ce6-24e1-40e8-bf3d-23d6e5ace9e5" >
Effect of the misor...
Effect of the misorientation of the 4H-SiC substrate on the open volume defects in GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition
-
- Tengborn, Elisabeth, 1978 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
Rummukainen, M (författare)
-
Tuomisto, F. (författare)
-
visa fler...
-
Saarinen, K. (författare)
-
Rudzinski, M. (författare)
-
Hageman, P. R. (författare)
-
Larsen, P.K. (författare)
-
- Nordlund, Anders, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. ; 89:091905, s. 3-
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Positron annihilation spectroscopy has been used to study GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition on misoriented 4H-SiC substrates. Two kinds of vacancy defects are observed: Ga vacancies and larger vacancy clusters in all the studied layers. In addition to vacancies, positrons annihilate at shallow traps that are likely to be dislocations. The results show that the vacancy concentration increases and the shallow positron trap concentration decreases with the increasing substrate misorientation.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Annan teknik -- Övrig annan teknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Other Engineering and Technologies -- Other Engineering and Technologies not elsewhere specified (hsv//eng)
Nyckelord
- semiconductor growth
- MOCVD
- vacancies (crystal)
- wide band gap semiconductors
- positron annihilation
- dislocations
- III-V semiconductors
- gallium compounds
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas