Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:950b6a3c-452b-41db-9a19-f3f650cdd644" >
High-Gain Graphene ...
High-Gain Graphene Transistors with a Thin AlOx Top-Gate Oxide
-
- Guerriero, E. (författare)
- Politecnico di Milano,Polytechnic University of Milan
-
- Pedrinazzi, P. (författare)
- Politecnico di Milano,Polytechnic University of Milan
-
- Mansouri, Aida, 1988 (författare)
- Politecnico di Milano,Polytechnic University of Milan
-
visa fler...
-
- Habibpour, Omid, 1979 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Winters, Michael, 1986 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Behnam, A. (författare)
- University of Illinois
-
- Carrion, E. A. (författare)
- University of Illinois
-
- Pesquera, A. (författare)
- Graphenea SA
-
- Centeno, A. (författare)
- Graphenea SA
-
- Zurutuza, A. (författare)
- Graphenea SA
-
- Pop, E. (författare)
- Stanford University
-
- Zirath, Herbert, 1955 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Sordan, R. (författare)
- Politecnico di Milano,Polytechnic University of Milan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2017-05-25
- 2017
- Engelska.
-
Ingår i: Scientific Reports. - : Springer Science and Business Media LLC. - 2045-2322 .- 2045-2322. ; 7:1
- Relaterad länk:
-
http://publications.... (primary) (free)
-
visa fler...
-
https://www.nature.c...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The high-frequency performance of transistors is usually assessed by speed and gain figures of merit, such as the maximum oscillation frequency f(max), cutoff frequency f(T), ratio f(max)/f(T), forward transmission coefficient S-21, and open-circuit voltage gain A(v). All these figures of merit must be as large as possible for transistors to be useful in practical electronics applications. Here we demonstrate high-performance graphene field-effect transistors (GFETs) with a thin AlOx gate dielectric which outperform previous state-of-the-art GFETs: we obtained f(max)/f(T) > 3, A(v) > 30 dB, and S-21 = 12.5 dB (at 10 MHz and depending on the transistor geometry) from S-parameter measurements. A dc characterization of GFETs in ambient conditions reveals good current saturation and relatively large transconductance similar to 600 S/m. The realized GFETs offer the prospect of using graphene in a much wider range of electronic applications which require substantial gain.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Guerriero, E.
-
Pedrinazzi, P.
-
Mansouri, Aida, ...
-
Habibpour, Omid, ...
-
Winters, Michael ...
-
Rorsman, Niklas, ...
-
visa fler...
-
Behnam, A.
-
Carrion, E. A.
-
Pesquera, A.
-
Centeno, A.
-
Zurutuza, A.
-
Pop, E.
-
Zirath, Herbert, ...
-
Sordan, R.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Scientific Repor ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola