onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:b81744d1-c56c-4735-bb6a-7acb424ee832"
Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:b81744d1-c56c-4735-bb6a-7acb424ee832" > The influence of ga...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
The influence of gate material, SiO2 fabrication method and gate edge effect on interface trap density in 3C-SiC MOS capcitors
- Gutt, T. (författare)
- Malachowski, T. (författare)
- Prewlocki, H. M. (författare)
- visa fler...
- Bakowski, M. (författare)
- Esteve, R. (författare)
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2012
- 2012
- Engelska.
- Ingår i: Materials Science Forum. - 1662-9752 .- 0255-5476. ; 117, s. 109-
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Ämnesord
Stäng
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik -- Annan materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering -- Other Materials Engineering (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Materials Science Forum (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Gutt, T.
- Malachowski, T.
- Prewlocki, H. M.
- Engström, Olof, ...
- Bakowski, M.
- Esteve, R.
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Materialteknik
- och Annan materialte ...
- Artiklar i publikationen
- Materials Scienc ...
- Av lärosätet
- Chalmers tekniska högskola
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
