Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:c6361162-eb74-4061-bee3-dda1ea3a166a" >
GaAs single-barrier...
-
Krishnamurthi, Kathiravan
(författare)
GaAs single-barrier varactors for millimeter-wave triplers: guidelines for enhanced performance
- Artikel/kapitelEngelska1994
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE),1994
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:c6361162-eb74-4061-bee3-dda1ea3a166a
-
https://research.chalmers.se/publication/62443URI
-
https://doi.org/10.1109/22.339790DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Anmärkningar
-
Earlier single-barrier varactors (SBVs) fabricated on GaAs suffered from low Q because of leaky barriers. By placing a thin AlAs layer in the center of an Al0.4Ga0.6As barrier, and using In0.2Ga0.8As spacers, one can increase the effective barrier height, thereby achieving SBVs with both high Q and good capacitance-modulation characteristics. Simulation of a 192-GHz tripler using these varactors shows purely reactive multiplication, without the output-power saturation both predicted and observed in triplers using leaky-barrier SBVs.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Nilsen, Svein M.,1956Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
(författare)
-
Harrison, Robert G.
(författare)
-
Chalmers tekniska högskola
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)42:12, s. 2512-25160018-94801557-9670
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas