Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:d262f5f9-0562-4b47-8067-145f37e4b7f0" >
On the effect of de...
On the effect of delta-doping in self-switching diodes
-
- Westlund, Andreas, 1985 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Iniguez-de-la-Torre, I. (författare)
- Universidad de Salamanca,University of Salamanca
-
- Nilsson, Per-Åke, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Gonzalez, T. (författare)
- Universidad de Salamanca,University of Salamanca
-
- Mateos, J. (författare)
- Universidad de Salamanca,University of Salamanca
-
- Sangare, P. (författare)
- Université de Lille,University of Lille
-
- Ducournau, G. (författare)
- Université de Lille,University of Lille
-
- Gaquiere, C. (författare)
- Université de Lille,University of Lille
-
- Desplanque, L. (författare)
- Université de Lille,University of Lille
-
- Wallart, X. (författare)
- Université de Lille,University of Lille
-
- Grahn, Jan, 1962 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2014
- 2014
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 105:9, s. Article Number: 093505 -
- Relaterad länk:
-
http://publications.... (primary) (free)
-
visa fler...
-
http://publications....
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Lowering the carrier concentration is presented as a way to considerably improve the performance of self-switching diode (SSD) detectors. A physics-based theoretical model was used to derive an expression for the responsivity of SSDs as a function of carrier concentration, mobility, and design parameters. Monte Carlo simulations confirmed the modeled effect of varying carrier concentration and channel width. SSDs were fabricated in InAs heterostructures with different delta-doping levels. Radio frequency (RF) characterization at 50 GHz reproduced the modeled trends. By reducing the carrier concentration in InAs SSDs with 40 nm wide channels from 2.7 x 10(12) cm(-2) to 1.5 x 10(12) cm(-2) (-44%), the noise equivalent power (NEP) improved from 130 pW/Hz(1/2) to 87 pW/Hz(1/2) (-33%).
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Westlund, Andrea ...
-
Iniguez-de-la-To ...
-
Nilsson, Per-Åke ...
-
Gonzalez, T.
-
Mateos, J.
-
Sangare, P.
-
visa fler...
-
Ducournau, G.
-
Gaquiere, C.
-
Desplanque, L.
-
Wallart, X.
-
Grahn, Jan, 1962
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola