Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:d68efb63-93aa-4ecc-baf1-9df6c51a3fa9" >
Fully inkjet-printe...
Fully inkjet-printed two-dimensional material field-effect heterojunctions for wearable and textile electronics
-
- Carey, T. (författare)
- University Of Cambridge
-
- Cacovich, S. (författare)
- University Of Cambridge
-
- Divitini, G. (författare)
- University Of Cambridge
-
visa fler...
-
- Ren, J. (författare)
- University Of Cambridge,Jiangnan University
-
- Mansouri, Aida, 1988 (författare)
- Politecnico di Milano,Polytechnic University of Milan
-
- Kim, J.M. (författare)
- University Of Cambridge
-
- Wang, C. (författare)
- Jiangnan University
-
- Ducati, C. (författare)
- University Of Cambridge
-
- Sordan, R. (författare)
- Politecnico di Milano,Polytechnic University of Milan
-
- Torrisi, F. (författare)
- University Of Cambridge
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2017-10-31
- 2017
- Engelska.
-
Ingår i: Nature Communications. - : Springer Science and Business Media LLC. - 2041-1723 .- 2041-1723. ; 8:1
- Relaterad länk:
-
https://www.nature.c...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Fully printed wearable electronics based on two-dimensional (2D) material heterojunction structures also known as heterostructures, such as field-effect transistors, require robust and reproducible printed multi-layer stacks consisting of active channel, dielectric and conductive contact layers. Solution processing of graphite and other layered materials provides low-cost inks enabling printed electronic devices, for example by inkjet printing. However, the limited quality of the 2D-material inks, the complexity of the layered arrangement, and the lack of a dielectric 2D-material ink able to operate at room temperature, under strain and after several washing cycles has impeded the fabrication of electronic devices on textile with fully printed 2D heterostructures. Here we demonstrate fully inkjet-printed 2D-material active heterostructures with graphene and hexagonal-boron nitride (h-BN) inks, and use them to fabricate all inkjet-printed flexible and washable field-effect transistors on textile, reaching a field-effect mobility of ~91 cm2 V-1 s-1, at low voltage (<5 V). This enables fully inkjet-printed electronic circuits, such as reprogrammable volatile memory cells, complementary inverters and OR logic gates.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Biologi -- Biofysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Biological Sciences -- Biophysics (hsv//eng)
- MEDICIN OCH HÄLSOVETENSKAP -- Medicinska och farmaceutiska grundvetenskaper -- Medicinsk genetik (hsv//swe)
- MEDICAL AND HEALTH SCIENCES -- Basic Medicine -- Medical Genetics (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Biologi -- Genetik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Biological Sciences -- Genetics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Carey, T.
-
Cacovich, S.
-
Divitini, G.
-
Ren, J.
-
Mansouri, Aida, ...
-
Kim, J.M.
-
visa fler...
-
Wang, C.
-
Ducati, C.
-
Sordan, R.
-
Torrisi, F.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Biologi
-
och Biofysik
-
- MEDICIN OCH HÄLSOVETENSKAP
-
MEDICIN OCH HÄLS ...
-
och Medicinska och f ...
-
och Medicinsk geneti ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Biologi
-
och Genetik
- Artiklar i publikationen
-
Nature Communica ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola