Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:f7ef3374-606d-4d9c-b136-0264f2a9b1ae" >
Compositionally gra...
Compositionally graded channel HEMTs towards improved linearity for low-noise RF amplifiers
-
- Papamichail, A. (författare)
- Linköping University
-
- Persson, A. R. (författare)
- Linköping University
-
- Ricther, Steffen (författare)
- Linköping University,Lund University
-
visa fler...
-
- Kuhne, Philipp (författare)
- Linköping University
-
- Persson, Per O.Å. (författare)
- Linköping University
-
- Thorsell, Mattias, 1982 (författare)
- Chalmers University of Technology
-
- Hjelmgren, Hans, 1960 (författare)
- Chalmers University of Technology
-
- Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
- Chalmers University of Technology
-
- Darakchieva, Vanya (författare)
- Linköping University,Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2022
- 2022
- Engelska.
-
Ingår i: 2022 Compound Semiconductor Week, CSW 2022.
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Although AlGaN/GaN HEMTs with high power and current gain have been demonstrated in RF device applications, at high signal operation they show an inherent non-linear behavior which leads to gain compression and signal distortion. Polarization-doped AlGaN/GaN HEMTs, with a compositionally graded channel enables a linear response improvement through formation of a 3-D electron gas. In this work, we develop the growth process for graded channel HEMTs in a hot-wall MOCVD reactor. Control of the grading profile is established through growth parameter tuning. Afterwards, analysis by EDS allows for precise determination of Al composition across the channel. Conventional and graded channel HEMT structures were fabricated and characterized. Furthermore, the sheet resistance, carrier density and mobility in HEMT structures with different grading profiles are compared and discussed. The conventional (non-graded) structure revealed the highest electron mobility of ~2350 cm2/V.s, which is among the highest values reported.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Annan fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Other Physics Topics (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- polarization doping
- RF devices
- graded channel HEMTs
- graded channel HEMTs
- polarization doping
- RF devices
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Papamichail, A.
-
Persson, A. R.
-
Ricther, Steffen
-
Kuhne, Philipp
-
Persson, Per O.Å ...
-
Thorsell, Mattia ...
-
visa fler...
-
Hjelmgren, Hans, ...
-
Rorsman, Niklas, ...
-
Darakchieva, Van ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Annan fysik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- 2022 Compound Se ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola
-
Lunds universitet