Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-39633" >
Influence of disloc...
Influence of dislocations on low frequency noise in nMOSFETs fabricated on tensile strained virtual substrates
-
- Malm, Bengt Gunnar (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- von Haartman, Martin (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
(creator_code:org_t)
- AIP, 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: Noise and Fluctuations. - : AIP. - 9780735404328 ; , s. 133-136
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- In this work sSi nMOSFETs with 13 run sSi thickness on 27% Ge virtual substrates (VS) are investigated and an increased LF noise level with a characteristic gate bias dependence is found. High off-state leakage of the MOSFETs indicates the presence of misfit dislocations in the channel region. A channel conductance based model is proposed to analyse the noise originating from a highly localized defect in the channel.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Data- och informationsvetenskap (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Computer and Information Sciences (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- 1/f noise
- low-frequency noise
- strained silicon
- virtual substrate
- dislocation
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas