High-k-oxide/silicon interfaces characterized by capacitance frequency spectroscopy

Raeissi, Bahman,1979Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology (författare)

QC 20120221
Electron capture into insulator/silicon interface states is investigated for high-k dielectrics of Gd(2)O(3) prepared by MBE and ALD, and for HfO(2) prepared by reactive sputtering, by measuring the frequency dependence of MOS capacitance. The capture cross sections are found to be thermally activated and to increase steeply with the energy depth of the interface electron states. The methodology adopted is considered useful for increasing the understanding of high-k-oxide/silicon interfaces.

Piscator, Johan,1977Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)e8johanp (författare)
Engström, Olof,1943Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)oleng (författare)
Hall, S.University of Liverpool (författare)
Buiu, O.University of Liverpool (författare)
Lemme, Max C.,1970-AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany(Swepub:kth)u1m2eozy (författare)
Gottlob, H. D. B. (författare)
Hurley, P. K.Tyndall National Institute at National University of Ireland, Cork (författare)
Cherkaoui, K.Tyndall National Institute at National University of Ireland, Cork (författare)
Osten, H. J.University of Hanover, Germany (författare)
Chalmers tekniska högskolaUniversity of Liverpool (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Raeissi, Bahman, ...; Piscator, Johan, ...; Engström, Olof, ...; Hall, S.; Buiu, O.; Lemme, Max C., 1 ...; visa fler...; Gottlob, H. D. B ...; Hurley, P. K.; Cherkaoui, K.; Osten, H. J.; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.