Hydrogen passivation of silicon carbide by low-energy ion implantation

NR 20140805
implantation of deuterium is performed to investigate the mobility and passivating effect of hydrogen in epitaxial alpha-SiC (polytypes 4H and 6H). To avoid excessive damage and the resulting trapping of hydrogen, the implantation is performed with low energy (600 eV H-2(2)+). The H-2 depth profile is analyzed by secondary ion mass spectrometry. Electrical properties are measured by capacitance-voltage profiling and admittance spectroscopy. In p-type SIG, hydrogen diffuses on a mu m scale even at room temperature and effectively passivates accepters. In n-type SiC, the incorporation of H is suppressed and no passivation is detected. (C) 1998 American Institute of Physics.

Grillenberger, J (författare)
Witthuhn, W (författare)
Linnarsson, M KKTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)(Swepub:kth)u1x6y4ru (författare)
Janson, M S (författare)
Svensson, B G (författare)
KTHSkolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT) (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Achtziger, N; Grillenberger, J; Witthuhn, W; Linnarsson, M K; Janson, M S; Svensson, B G

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.