Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-159101" >
A comparative study...
-
Shi, YuchenLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
(författare)
A comparative study of high-quality C-face and Si-face 3C-SiC(1 1 1) grown on off-oriented 4H-SiC substrates
- Artikel/kapitelEngelska2019
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
2019-07-01
-
Biopress Ltd,2019
-
electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-159101
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-159101URI
-
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab2859DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
Funding agencies: Swedish Research Council (Vetenskapsradet) [621-2014-5461, 2018-04670, 2016-05362, 621-2014-5825]; Swedish Research Council for Environment, Agricultural Sciences and Spatial Planning (FORMAS) [2016-00559]; Swedish Foundation for International Cooperation
-
We present a comparative study of the C-face and Si-face of 3C-SiC(111) grown on off-oriented 4H-SiC substrates by the sublimation epitaxy. By the lateral enlargement method, we demonstrate that the high-quality bulk-like C-face 3C-SiC with thickness of ~1 mm can be grown over a large single domain without double positioning boundaries (DPBs), which are known to have a strongly negative impact on the electronic properties of the material. Moreover, the C-face sample exhibits a smoother surface with one unit cell height steps while the surface of the Si-face sample exhibits steps twice as high as on the C-face due to step-bunching. High-resolution XRD and low temperature photoluminescence measurements show that C-face 3C-SiC can reach the same high crystalline quality as the Si-face 3C-SiC. Furthermore, cross-section studies of the C- and Si-face 3C-SiC demonstrate that in both cases an initial homoepitaxial 4H-SiC layer followed by a polytype transition layer are formed prior to the formation and lateral expansion of 3C-SiC layer. However, the transition layer in the C-face sample is extending along the step-flow direction less than that on the Si-face sample, giving rise to a more fairly consistent crystalline quality 3C-SiC epilayer over the whole sample compared to the Si-face 3C-SiC where more defects appeared on the surface at the edge. This facilitates the lateral enlargement of 3C-SiC growth on hexagonal SiC substrates.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Jokubavicius, Valdas,1983-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)valjo12
(författare)
-
Höjer, Pontus,1993-Linköpings universitet,Biomolekylär och Organisk Elektronik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)ponho68
(författare)
-
Ivanov, Ivan Gueorguiev,1955-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)ivaiv28
(författare)
-
Yazdi, Gholamreza,1966-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)ghoya53
(författare)
-
Yakimova, Rositsa,1942-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)rosia15
(författare)
-
Syväjärvi, Mikael,1968-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)miksy08
(författare)
-
Sun, Jianwu W.,1980-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)jiasu75
(författare)
-
Linköpings universitetHalvledarmaterial
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Journal of Physics D: Biopress Ltd52:340022-37271361-6463
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Shi, Yuchen
-
Jokubavicius, Va ...
-
Höjer, Pontus, 1 ...
-
Ivanov, Ivan Gue ...
-
Yazdi, Gholamrez ...
-
Yakimova, Rosits ...
-
visa fler...
-
Syväjärvi, Mikae ...
-
Sun, Jianwu W., ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Physi ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet