SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-159101"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-159101" > A comparative study...

  • Shi, YuchenLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten (författare)

A comparative study of high-quality C-face and Si-face 3C-SiC(1 1 1) grown on off-oriented 4H-SiC substrates

  • Artikel/kapitelEngelska2019

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2019-07-01
  • Biopress Ltd,2019
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-159101
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-159101URI
  • https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab2859DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Funding agencies:  Swedish Research Council (Vetenskapsradet) [621-2014-5461, 2018-04670, 2016-05362, 621-2014-5825]; Swedish Research Council for Environment, Agricultural Sciences and Spatial Planning (FORMAS) [2016-00559]; Swedish Foundation for International Cooperation
  • We present a comparative study of the C-face and Si-face of 3C-SiC(111) grown on off-oriented 4H-SiC substrates by the sublimation epitaxy. By the lateral enlargement method, we demonstrate that the high-quality bulk-like C-face 3C-SiC with thickness of ~1 mm can be grown over a large single domain without double positioning boundaries (DPBs), which are known to have a strongly negative impact on the electronic properties of the material. Moreover, the C-face sample exhibits a smoother surface with one unit cell height steps while the surface of the Si-face sample exhibits steps twice as high as on the C-face due to step-bunching. High-resolution XRD and low temperature photoluminescence measurements show that C-face 3C-SiC can reach the same high crystalline quality as the Si-face 3C-SiC. Furthermore, cross-section studies of the C- and Si-face 3C-SiC demonstrate that in both cases an initial homoepitaxial 4H-SiC layer followed by a polytype transition layer are formed prior to the formation and lateral expansion of 3C-SiC layer. However, the transition layer in the C-face sample is extending along the step-flow direction less than that on the Si-face sample, giving rise to a more fairly consistent crystalline quality 3C-SiC epilayer over the whole sample compared to the Si-face 3C-SiC where more defects appeared on the surface at the edge. This facilitates the lateral enlargement of 3C-SiC growth on hexagonal SiC substrates.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Jokubavicius, Valdas,1983-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)valjo12 (författare)
  • Höjer, Pontus,1993-Linköpings universitet,Biomolekylär och Organisk Elektronik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)ponho68 (författare)
  • Ivanov, Ivan Gueorguiev,1955-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)ivaiv28 (författare)
  • Yazdi, Gholamreza,1966-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)ghoya53 (författare)
  • Yakimova, Rositsa,1942-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)rosia15 (författare)
  • Syväjärvi, Mikael,1968-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)miksy08 (författare)
  • Sun, Jianwu W.,1980-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)jiasu75 (författare)
  • Linköpings universitetHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Journal of Physics D: Biopress Ltd52:340022-37271361-6463

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy