Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-62728" >
Mg-doped Al0.85Ga0....
Mg-doped Al0.85Ga0.15N layers grown by hot-wall MOCVD with low resistivity at room temperature
-
- Kakanakova-Georgieva, Anelia, 1970- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan,Linköping University
-
- Nilsson, Daniel (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan,Linköping University
-
- Stattin, Martin, 1983 (författare)
- Chalmers,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Forsberg, Urban (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan,Linköping University
-
- Haglund, Åsa, 1976 (författare)
- Chalmers,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Larsson, Anders, 1957 (författare)
- Chalmers,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan,Linköping University
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2010-09-02
- 2010
- Engelska.
-
Ingår i: PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS. - : John Wiley and Sons, Ltd. - 1862-6254 .- 1862-6270. ; 4:11, s. 311-313
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report on the hot-wall MOCVD growth of Mg-doped AlxGa1-xN layers with an Al content as high as x similar to 0.85. After subjecting the layers to post-growth in-situ annealing in nitrogen in the growth reactor, a room temperature resistivity of 7 k Omega cm was obtained indicating an enhanced p-type conductivity compared to published data for AlxGa1-xN layers with a lower Al content of x similar to 0.70 and a room temperature resistivity of about 10 k Omega cm. It is believed that the enhanced p-type conductivity is a result of reduced compensation by native defects through growth conditions enabled by the distinct hot-wall MOCVD system.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- MOCVD
- epitaxy
- high-Al-content AlGaN
- p-type semiconductors
- electrical properties
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas