Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-88169" >
Modified palladium ...
Modified palladium metal‐oxide‐semiconductor structures with increased ammonia gas sensitivity
-
- Winquist, Fredrik (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan
-
- Spetz, Anita (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan
-
- Armgarth, M. (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Nylander, Claes (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan
-
- Lundström, Ingemar (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Institute of Physics (AIP), 1983
- 1983
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : American Institute of Physics (AIP). - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 43:9, s. 839-841
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- It is known that palladium metal‐oxide‐semiconductor (Pd‐MOS) structures are sensitive detectors for hydrogen gas. We show that the evaporation of a thin film of catalytically active metals on top of the structure can increase the sensitivity towards ammonia considerably. It was found that the thin metal must be in contact with the oxide to cause the increased sensitivity. The largest increase was observed with the transition metals Ir and Pt. The ammonia sensitivity could be enhanced about 60 times compared to that of an unmodified structure
Nyckelord
- mos junctions
- palladium
- ammonia
- gases
- detectors
- sensitivity
- silicon
- detection
- modifications
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas