Surface preparation of 4 degrees off-axis 4H-SIC substrate for epitaxial growth

Results of surface preparation on Si-face 4° off-cut 4H-SiC substrates are presented in this paper. The influences of two types of etchants, i.e. hydrogen chloride (HCl) and only hydrogen (H2), were investigated by Nomarski microscopy and AFM. The experiments were performed in a hot wall CVD reactor using a TaC coated susceptor. Four etching temperatures, including 1580 °C, 1600 °C, 1620 °C and 1640 °C, were studied. In-situ etching with only H2 as ambient atmosphere is found to be the optimal way for the SiC surface preparation. Using HCl at temperature higher than 1620 °C could degrade the substrates surface quality.

ul Hassan, JawadLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)jawul47 (författare)
Kordina, OlofLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)ollko50 (författare)
Janzén, ErikLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)erija14 (författare)
Henry, AnneLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)annhe32 (författare)
Linköpings universitetHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Ingår i:Materials Science Forum (Volumes 740 - 742): Trans Tech Publications Inc., s. 225-228

Av författaren/redakt...: Li, Xun; ul Hassan, Jawad; Kordina, Olof; Janzén, Erik; Henry, Anne

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.