Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:25f45fbb-b9d3-4ba1-bb8a-08e87f6ca206" >
Stress and strain a...
Stress and strain analysis of Si-based III - V template fabricated by ion-slicing
-
- Zhao, Shuyan (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Song, Y (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Liang, Hao (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa fler...
-
- Jin, Tingting (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Lin, Jiajie (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Yue, Li (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- You, Tiangui (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Wang, Chang (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Ou, Xin (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chinese Academy of Sciences
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- IOP Publishing, 2020
- 2020
- Engelska.
-
Ingår i: Chinese Physics B. - : IOP Publishing. - 1674-1056. ; 29:7
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.1...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Strain and stress were simulated using finite element method (FEM) for three III-V-on-Insulator (III-VOI) structures, i.e., InP/SiO2/Si, InP/Al2O3/SiO2/Si, and GaAs/Al2O3/SiO2/Si, fabricated by ion-slicing as the substrates for optoelectronic devices on Si. The thermal strain/stress imposes no risk for optoelectronic structures grown on InPOI at a normal growth temperature using molecular beam epitaxy. Structures grown on GaAsOI are more dangerous than those on InPOI due to a limited critical thickness. The intermedia Al2O3 layer was intended to increase the adherence while it brings in the largest risk. The simulated results reveal thermal stress on Al2O3 over 1 GPa, which is much higher than its critical stress for interfacial fracture. InPOI without an Al2O3 layer is more suitable as the substrate for optoelectronic integration on Si.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Maskinteknik -- Teknisk mekanik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Mechanical Engineering -- Applied Mechanics (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik -- Annan materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering -- Other Materials Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Zhao, Shuyan
-
Song, Y
-
Liang, Hao
-
Jin, Tingting
-
Lin, Jiajie
-
Yue, Li
-
visa fler...
-
You, Tiangui
-
Wang, Chang
-
Ou, Xin
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Maskinteknik
-
och Teknisk mekanik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
och Annan materialte ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Chinese Physics ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola