Strain-free low-defect-density bulk GaN with nonpolar orientations

QC 20141119
Bulk GaN sliced in bars along (11-20) and (1-100) planes from a boule grown in the [0001] direction by HVPE was confirmed as strain free material with a low dislocation density by using several characterization techniques. The high-structural quality of the material allows photoluminescence studies of free excitons, principal donor bound excitons and their twoelectron satellites with regard to the optical selection rules. Raman scattering study of the bulk GaN with nonpolar orientations allows a direct access to the active phonon modes and a direct determination of their strain-free positions.

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Materialteknik Annan materialteknik hsv//swe
ENGINEERING AND TECHNOLOGY Materials Engineering Other Materials Engineering hsv//eng
Nonpolar orientations
Strain free material
Strain-free positions
Excitons
Phonons
Photoluminescence
Raman scattering
Gallium nitride

Paskov, P. P. (författare)
Darakchieva, V. (författare)
Kroeger, R. (författare)
Hommel, D. (författare)
Monemar, B. (författare)
Lourdudoss, SebastianKTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u16044fg (författare)
Preble, E. (författare)
Hanser, A. (författare)
Williams, M. N. (författare)
Tutor, M. (författare)
KTHMikroelektronik och Informationsteknik, IMIT (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Paskova, T.; Paskov, P. P.; Darakchieva, V.; Kroeger, R.; Hommel, D.; Monemar, B.; visa fler...; Lourdudoss, Seba ...; Preble, E.; Hanser, A.; Williams, M. N.; Tutor, M.; visa färre...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Materialteknik; och Annan materialte ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.