SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-21456"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-21456" > Electrical resistiv...

  • Araujo, C. M.Moysés Araújo, C., Instituto de Física, Universidade Federal da Bahia, Campus Universitário de Ondina, 40210 340 Salvador, Bahia, Brazil (författare)

Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN : Si

  • Artikel/kapitelEngelska2002

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2002
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-21456
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-21456URI
  • https://doi.org/10.1016/S0026-2692(01)00133-1DOI
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-47043URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • QC 20100525
  • The electrical resistivity of the Si-donor cubic GaN is investigated theoretically at low temperature. The critical impurity concentration, N-c, for the metal-nonmetal transition is estimated in three different ways: from using the generalized Drude approach (GDA) for the resistivity; from the vanishing of the chemical potential calculated using the dielectric function model with a Lorentz-Lorenz correction; from finding the crossing point between the energy in the insulating and metallic states. The bandgap narrowing (BGN) has been determined theoretically and experimentally above the MNM transition, The experimental data have been obtained with photoluminescence measurements. Theoretical and experimental results are in rough agreement in the range of impurity concentration of interest.

Ämnesord och genrebeteckningar

  • resistivity
  • metal-nonmetal transition
  • band-gap shift
  • photoluminescence
  • nitrides
  • si-p,bi
  • shift
  • donor
  • TECHNOLOGY

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Fernandez, J. R. L.Instituto de Física, Universidade de São Paulo, CP 66318, 05315-970 São Paulo, SP, Brazil (författare)
  • da Silva, A. F.Ferreira Da Silva, A., Instituto de Física, Universidade Federal da Bahia, Campus Universitário de Ondina, 40210 340 Salvador, Bahia, Brazil (författare)
  • Pepe, I.Instituto de Física, Universidade Federal da Bahia, Campus Universitário de Ondina, 40210 340 Salvador, Bahia, Brazil (författare)
  • Leite, J. R. (författare)
  • Sernelius, BoLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Teoretisk Fysik(Swepub:liu)bose02 (författare)
  • Tabata, A.Instituto de Física, Universidade de São Paulo, CP 66318, 05315-970 São Paulo, SP, Brazil (författare)
  • Persson, ClasDepartment of Physics, Uppsala University, SE-751 21 Uppsala, Sweden(Swepub:kth)u16hf74r (författare)
  • Ahuja, R.Department of Physics, Uppsala University, SE-751 21 Uppsala, Sweden (författare)
  • As, D. J.Universität Paderborn, FB-6 Physik, D-33095 Paderborn, Germany (författare)
  • Schikora, D.Universität Paderborn, FB-6 Physik, D-33095 Paderborn, Germany (författare)
  • Lischka, K.Universität Paderborn, FB-6 Physik, D-33095 Paderborn, Germany (författare)
  • Moysés Araújo, C., Instituto de Física, Universidade Federal da Bahia, Campus Universitário de Ondina, 40210 340 Salvador, Bahia, BrazilInstituto de Física, Universidade de São Paulo, CP 66318, 05315-970 São Paulo, SP, Brazil (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Microelectronics Journal33:4, s. 365-3690026-2692

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy