onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-23105"
Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-23105" > Annealing study of ...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
- Kortegaard Nielsen, HanneKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT (författare)
Annealing study of a bistable defect in proton-implanted n-type 4H-SiC
- Artikel/kapitelEngelska2003
Förlag, utgivningsår, omfång ...
- Elsevier BV,2003
- printrdacarrier
Nummerbeteckningar
- LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-23105
- https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-23105URI
- https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.151DOI
Kompletterande språkuppgifter
- Språk:engelska
- Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
- SwePubSwePub
Klassifikation
Anmärkningar
- QC 20100525
- The thermal stability and annealing kinetics of a bistable defect, recently reported by Martin (Master Thesis, KTH/ELE/FTE/2003-1) employing deep level transient spectroscopy and labelled the M-centre, has been studied using n-type epitaxially grown 4H-SiC layers implanted with 2.5 MeV protons to a dose of 1 X 10(12) cm(-2). One configuration of the bistable defect leads to two levels in the band gap, 0.42 eV (M-1) and 0.7-0.8 eV (M-3) below the conduction band edge (E-C), and another leads to one level (M-2) at E-C-0.7 eV. The defect can be switched back and forth between the two configurations by varying the applied bias and the sample temperature. Isochronal and isothermal annealing shows that the defect anneals out between 310 degrees C and 370 degrees C with a first-order kinetics process. The origin of the defect is not known but it is implantation-induced and a low-order complex.
Ämnesord och genrebeteckningar
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Elektroteknik och elektronik Annan elektroteknik och elektronik hsv//swe
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering hsv//eng
- 4H-SiC
- DLTS
- bistable
- ion implantation
- 4h silicon-carbide
- chemical-vapor-deposition
- epitaxial layers
- centers
- Electronics
- Elektronik
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
- Martin, D. M.KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT (författare)
- Leveque, PatrickKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u1cmmh3h (författare)
- Hallén, Anders.KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u11ywmz1 (författare)
- Svensson, Bengt G.KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u1ntxig3 (författare)
- KTHMikroelektronik och informationsteknik, IMIT (creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
- Ingår i:Physica. B, Condensed matter: Elsevier BV340, s. 743-7470921-45261873-2135
Internetlänk
Hitta via bibliotek
- Physica. B, Condensed matter (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Kortegaard Niels ...
- Martin, D. M.
- Leveque, Patrick
- Hallén, Anders.
- Svensson, Bengt ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Elektroteknik oc ...
- och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
- Physica. B, Cond ...
- Av lärosätet
- Kungliga Tekniska Högskolan
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
