Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-32342" >
Robust Low Voltage ...
Robust Low Voltage Program-Erasable Cobalt-Nanocrystal Memory Capacitors with Multistacked Al2O3/HfO2/Al2O3 Tunnel Barrier
-
Liao, Zhong-Wei (författare)
-
Gou, Hong-Yan (författare)
-
Huang, Yue (författare)
-
visa fler...
-
Sun, Qing-Qing (författare)
-
Ding, Shi-Jin (författare)
-
Zhang, Wei (författare)
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2009
- 2009
- Engelska.
-
Ingår i: Chinese Physics Letters. - 0256-307X .- 1741-3540. ; 26:8, s. 087303-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- An atomic-layer-deposited Al2O3/HfO2/Al2O3 (A/H/A) tunnel barrier is investigated for Co nanocrystal memory capacitors. Compared to a single Al2O3 tunnel barrier, the A/H/A barrier can significantly increase the hysteresis window, i. e., an increase by 9V for +/- 12V sweep range. This is attributed to a marked decrease in the energy barriers of charge injections for the A/H/A tunnel barrier. Further, the Co-nanocrystal memory capacitor with the A/H/A tunnel barrier exhibits a memory window as large as 4.1V for 100 mu s program/erase at a low voltage of +/- 7V, which is due to fast charge injection rates, i. e., about 2.4 x 10(16) cm(-2) s(-1) for electrons and 1.9 x 10(16) cm(-2) s(-1) for holes.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- NONVOLATILE MEMORY
- RETENTION
- Electrical engineering, electronics and photonics
- Elektroteknik, elektronik och fotonik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas