Robust Low Voltage Program-Erasable Cobalt-Nanocrystal Memory Capacitors with Multistacked Al2O3/HfO2/Al2O3 Tunnel Barrier

QC 20110413
An atomic-layer-deposited Al2O3/HfO2/Al2O3 (A/H/A) tunnel barrier is investigated for Co nanocrystal memory capacitors. Compared to a single Al2O3 tunnel barrier, the A/H/A barrier can significantly increase the hysteresis window, i. e., an increase by 9V for +/- 12V sweep range. This is attributed to a marked decrease in the energy barriers of charge injections for the A/H/A tunnel barrier. Further, the Co-nanocrystal memory capacitor with the A/H/A tunnel barrier exhibits a memory window as large as 4.1V for 100 mu s program/erase at a low voltage of +/- 7V, which is due to fast charge injection rates, i. e., about 2.4 x 10(16) cm(-2) s(-1) for electrons and 1.9 x 10(16) cm(-2) s(-1) for holes.

Gou, Hong-Yan (författare)
Huang, Yue (författare)
Sun, Qing-Qing (författare)
Ding, Shi-Jin (författare)
Zhang, Wei (författare)
Zhang, Shi-LiKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1a28qyq (författare)
KTHIntegrerade komponenter och kretsar (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Liao, Zhong-Wei; Gou, Hong-Yan; Huang, Yue; Sun, Qing-Qing; Ding, Shi-Jin; Zhang, Wei; visa fler...; Zhang, Shi-Li; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.