Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50517" >
Subthreshold behavi...
Subthreshold behavior of triple-gate MOSFETs on SOI material
-
- Lemme, Max C., 1970- (författare)
- AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
-
Mollenhauer, T. (författare)
-
Henschel, W. (författare)
-
visa fler...
-
Wahlbrink, T. (författare)
-
Baus, M. (författare)
-
Winkler, O. (författare)
-
Granzner, R. (författare)
-
Schwierz, F. (författare)
-
Spangenberg, B. (författare)
-
Kurz, H. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2004
- 2004
- Engelska.
-
Ingår i: Solid-State Electronics. - : Elsevier BV. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 48:4, s. 529-534
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The fabrication of n-type multi-wire MOSFETs on SOI material with triple-gate structures is presented. The output and transfer characteristics of devices with a gate length of 70 nm and a MESA width of 22 nm demonstrate clearly the suppression of short channel effects (SCE). In addition, these triple-gate structures are compared with planar SOI devices of comparable dimensions. The influence of biasing the substrate (back gate) is analyzed and compared to simulation data.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- triple-gate
- FinFET
- multi-gate
- SOI
- back gate bias
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Lemme, Max C., 1 ...
-
Mollenhauer, T.
-
Henschel, W.
-
Wahlbrink, T.
-
Baus, M.
-
Winkler, O.
-
visa fler...
-
Granzner, R.
-
Schwierz, F.
-
Spangenberg, B.
-
Kurz, H.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Solid-State Elec ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan