Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-60820" >
Hydrogen passivatio...
Hydrogen passivation of silicon carbide by low-energy ion implantation
-
Achtziger, N (författare)
-
Grillenberger, J (författare)
-
Witthuhn, W (författare)
-
visa fler...
-
- Linnarsson, M K (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
-
Janson, M S (författare)
-
Svensson, B G (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 1998
- 1998
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 73, s. 945-947
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- implantation of deuterium is performed to investigate the mobility and passivating effect of hydrogen in epitaxial alpha-SiC (polytypes 4H and 6H). To avoid excessive damage and the resulting trapping of hydrogen, the implantation is performed with low energy (600 eV H-2(2)+). The H-2 depth profile is analyzed by secondary ion mass spectrometry. Electrical properties are measured by capacitance-voltage profiling and admittance spectroscopy. In p-type SIG, hydrogen diffuses on a mu m scale even at room temperature and effectively passivates accepters. In n-type SiC, the incorporation of H is suppressed and no passivation is detected. (C) 1998 American Institute of Physics.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas