Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-84165" >
Charge accumulation...
Charge accumulation at InAs surfaces
- Artikel/kapitelEngelska1996
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-84165
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-84165URI
-
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.76.3626DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
NR 20140805
-
Angle-resolved photoelectron spectroscopy has been used to directly prove the existence of a charge accumulation layer at clean InAs surfaces. The formation of an accumulation layer is shown to be a common property of polar InAs surfaces, with the precise surface Fermi level position above the conduction band minimum determined by the surface geometry. The emission from states in the accumulation layer is studied with respect to its photon energy and angular dependence.
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Andersson, C B M
(författare)
-
Hakansson, M C
(författare)
-
Kanski, J
(författare)
-
Ilver, L
(författare)
-
Karlsson, Ulf Omaterialfysik
(författare)
-
materialfysik
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Physical Review Letters76:19, s. 3626-36290031-90071079-7114
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas