Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-84423" >
Role of surface sto...
-
Simpson, W C
(författare)
Role of surface stoichiometry in the Cl-2/GaAs(001) reaction
- Artikel/kapitelEngelska1996
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
American Vacuum Society,1996
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-84423
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-84423URI
-
https://doi.org/10.1116/1.580342DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
NR 20140805
-
The room-temperature reaction of Cl-2 with GaAs(001)-4x6, -c(2x8), and -c(4x4) surfaces is studied with synchrotron soft x-ray photoelectron spectroscopy. The chemical composition of the reacted surfaces is found to depend on the stoichiometry of the starting surface. In all cases, the reaction occurs stepwise, with Ga and As monochlorides formed prior to the dichlorides. The Ga-rich surface is initially more reactive than either of the As-rich surfaces and it forms more GaCl than the As-rich surfaces, which instead form more AsCl. The sticking coefficient for chlorine on GaAs(001) decays exponentially with coverage. A contribution from Cl atoms comprising the surface dichlorides is identified in the Cl 2p core-level spectra. (C) 1996 American Vacuum Society.
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Shuh, D K
(författare)
-
Hung, W H
(författare)
-
Hakansson, M C
(författare)
-
Kanski, J
(författare)
-
Karlsson, Ulf OKTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT),Materialfysik
(författare)
-
Yarmoff, J A
(författare)
-
KTHSkolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films: American Vacuum Society14:3, s. 1815-18210734-21011520-8559
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas