SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-85415"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-85415" > Plasma chemistries ...

  • Hong, J. (författare)

Plasma chemistries for high density plasma etching of SiC

  • Artikel/kapitelEngelska1999

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • Charlottesville, VA, USA,1999
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-85415
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-85415URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • References: Casady, J.B., Agarwal, A.K., Rowland, L.B., Seshadri, S., Siegiez, R.R., Mani, S.S., Sheridan, D.C., Brandt, C.D., (1998) Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 483, p. 27. , Pittsburgh, PA: Mater. Res. Soc; Agarwal, A.K., Seshadri, S., Rowland, L.B., (1997) IEEE Electron Dev. Lett., 18, p. 592; Palmour, J.W., Edmond, J.A., Kong, H.S., Carter C.H., Jr., (1994) SiC and Related Materials, 137, p. 499. , Bristol, U.K.: Institute of Physics; Baliga, B.J., (1996) Power Semiconductor Devices, , Boston: PWS Publishing; Ueno, K., Asai, R., Tsuji, T., (1998) IEEE Electron Dev. Lett., EDL-19, p. 244; Spitz, J., Melloch, M.R., Cooper J.A., Jr., Capano, M., (1998) IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-19, p. 100; Neudeck, P.G., (1995) J. Electron. Mater., 24, p. 283; Shenoy, J.N., Melloch, M.R., Cooper J.A., Jr., (1997) IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-18, p. 93; Baliga, B.J., (1996) Inst. Phys. Conf. Ser., 142, p. 1. , Bristol, U.K.: Institute of Physics; Raghunathan, R., Baliga, B.J., (1998) IEEE Electron Dev. Lett., EDL-19, p. 71; Agarwal, A.K., Casady, J.B., Rowland, L.B., Valek, W.F., White, M.H., Brandt, C.D., (1997) IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-18, p. 586; Konstantinov, A.O., Ivanov, P.V., Nordell, N., Karlsson, S., Harris, C.I., (1997) IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-18, p. 521; Casady, J.B., Johnson, R.W., (1996) Solid-state Electron., 39, p. 1409; Weitzel, C.E., Moore, K.E., (1998) J. Electron. Mater., 27, p. 365; Capano, M.A., Trew, R.J., (1997) MRS Bulletin, 22, p. 19; Shor, J.S., Kurtz, A.D., Grimberg, I., Weiss, B.Z., Osgood, R.M., (1997) J. Appl. Phys., 81, p. 1546; Collins, D.H., Harris, G.L., Wongchotigul, K., Zhang, D., Chen, N., Taylor, C., (1996) Inst. Phys. Conf. Ser., 142, p. 617. , Bristol, U.K.: Institute of Physics; Yih, P.H., Steckl, A.J., (1995) J. Electrochem. Soc., 142, p. 312; Casady, J.B., Luckowski, E.D., Bozack, M., Sheridan, D., Johnson, R.W., Williams, J.H., (1996) J. Electrochem. Soc., 143, p. 750; Steckl, A.J., Yih, P.H., (1992) Appl. Phys. Lett., 60, p. 1966; Casady, J.B., Luckowski, E.D., Bozack, M., Sheridan, D., Johnson, R.W., Williams, J.H., (1996) Inst. Phys. Conf. Ser., 142, p. 625. , Bristol, U.K.: Institute of Physics; Luther, B.P., Ruzyllo, J., Miller, D.L., (1993) Appl. Phys. Lett., 63, p. 171; Lavois, F., Lassagne, P., Locabelli, M.L., (1996) Appl. Phys. Lett., 69, p. 236; Sadiyath, R., Wright, R.L., Chaudry, M.I., Babu, S.V., (1991) Appl. Phys. Lett., 58, p. 1053; Wu, J., Darsons, J.D., Evans, D.R., (1995) J. Electrochem. Soc., 142, p. 669; Cao, L., Li, B., Zhao, J.H., (1997) SiC and Related Compounds Conf. Stockholm, , Sweden; Wang, J.J., Lambers, E.S., Pearton, S.J., Östling, M., Zetterling, C.-M., Grow, J.M., Ren, F., (1998) Solid-state Electron., 42, p. 743; Flemish, J.R., Xie, K., Zhao, J., (1994) Appl. Phys. Lett., 64, p. 2315; Flemish, J.R., Xie, K., Buchwald, W., Casas, L., Zhao, J.H., McLane, G.F., Dubey, M., (1994) Mater. Res. Soc. Sump. Proc., 339, p. 145. , Pittsburgh, PA: Mater. Res. Soc; Flemish, J.R., Xie, K., (1996) J. Electrochem. Soc., 143, p. 2620; Xie, K., Flemish, J.R., Zhao, J.H., Buchwald, W.R., Casas, L., (1995) Appl. Phys. Lett., 67, p. 368; McDaniel, G.F., Lee, J.W., Lambers, E.S., Pearton, S.J., Holloway, P.H., Ren, F., Grow, J.M., Wilson, R.G., (1997) J. Vac. Sci. Technol. A, 14, p. 885; Flemish, J.R., Xie, K., McLane, G.F., (1996) Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 421, p. 153. , Pittsburgh, PA: Mater. Res. Soc; Ren, F., Grow, J.M., Bhaskaran, M., Lee, J.W., Vartuli, C.B., Lothian, J.R., Flemish, J.R., (1996) Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 421, p. 251. , Pittsburgh, PA: Mater. Res. Soc; Wang, J.J., Lambers, E.S., Pearton, S.J., Östling, M., Zetterling, C.-M., Grow, J.M., Ren, F., Shul, R.J., (1998) J. Vac. Sci. Technol. A, 16, p. 2605 NR 20140805
  • A variety of different plasma chemistries, including SF6, Cl2, ICI, and IBr, have been examined for dry etching of 6H-SiC in high ion density plasma tools (inductively coupled plasma and electron cyclotron resonance). Rates up to 4500 angstroms·min-1 were obtained for SF6 plasmas, while much lower rates (≀800 angstroms·min-1) were achieved with Cl2, ICI, and IBr. The F2-based chemistries have poor selectivity for SiC over photoresist masks (typically 0.4-0.5), but Ni masks are more robust, and allow etch depths ≥10 ÎŒm in the SiC. A micromachining process (sequential etch/deposition steps) designed for Si produces relatively low etch rates (<2,000 angstroms·min-1) for SiC.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Shul, R. J. (författare)
  • Zhang, L. (författare)
  • Lester, L. F. (författare)
  • Cho, H. (författare)
  • Hahn, Y. B. (författare)
  • Hays, D. C. (författare)
  • Jung, K. B. (författare)
  • Pearton, S. J. (författare)
  • Zetterling, Carl-MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u15o61ns (författare)
  • Östling, MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
  • KTHIntegrerade komponenter och kretsar (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Journal of Electronic MaterialsCharlottesville, VA, USA28:3, s. 196-2010361-52351543-186X

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy