Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-128858" >
LTPL Investigation ...
LTPL Investigation of N-Ga and N-Al Donor-Acceptor Pair Spectra in 3C-SiC Layers Grown by VLS on 6H-SiC Substrates
-
- Sun, J. W. (författare)
- Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
- Zoulis, G. (författare)
- Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
- Lorenzzi, J. (författare)
- Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France
-
visa fler...
-
- Jegenyes, N. (författare)
- Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France
-
- Juillaguet, S. (författare)
- Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
- Peyre, H. (författare)
- Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
- Souliere, V (författare)
- Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France
-
- Ferro, G. (författare)
- Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France
-
- Milesi, F. (författare)
- CEA-LETI/MINATEC, 38054 Grenoble cedex 9, France
-
- Camassel, J. (författare)
- Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
visa färre...
-
Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov 1918, 69622 Villeurbanne, France (creator_code:org_t)
- 2010
- 2010
- Engelska.
-
Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials 2009. ; , s. 415-418
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Ga-doped 3C-SiC layers have been grown on on-axis 6H-SiC (0001) substrates by the VLS technique and investigated by low temperature photoluminescence (LTPL) measurements. On these Ga-doped samples, all experimental spectra collected at 5K were found dominated by strong N-Ga donor-acceptor pair (DAP) transitions and phonon replicas. As expected, the N-Ga DAP zero-phonon line (ZPL) was located at lower energy ( 86 meV) below the N-Al one. Fitting the transition energies for the N-Al close DAP lines gave 251 meV for the Al acceptor binding energy in 3C-SiC and, by comparison, 337 meV for the Ga acceptor one.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Donor-Acceptor Pair
- Photoluminescence (PL)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Sun, J. W.
-
Zoulis, G.
-
Lorenzzi, J.
-
Jegenyes, N.
-
Juillaguet, S.
-
Peyre, H.
-
visa fler...
-
Souliere, V
-
Ferro, G.
-
Milesi, F.
-
Camassel, J.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- Silicon Carbide ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet