SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-163045"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-163045" > Transmorphic epitax...

  • Lu, JunLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten (författare)

Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors

  • Artikel/kapitelEngelska2019

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • AMER INST PHYSICS,2019
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-163045
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-163045URI
  • https://doi.org/10.1063/1.5123374DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Funding Agencies|Knut and Alice Wallenberg Foundation Scholar Grant [KAW-2016-0358]; European UnionEuropean Union (EU) [823260]; KAW foundation; Swedish Foundation for Strategic ResearchSwedish Foundation for Strategic Research [EM16-0004]
  • Interfaces containing misfit dislocations deteriorate electronic properties of heteroepitaxial wide bandgap III-nitride semiconductors grown on foreign substrates, as a result of lattice and thermal expansion mismatches and incompatible chemical bonding. We report grain-boundary-free AlN nucleation layers (NLs) grown by metalorganic chemical vapor deposition on SiC (0001) substrates mediated by an interface extending over two atomic layers L1 and L2 with composition (Al1/3Si2/3)(2/3)N and (Al2/3Si1/3)N, respectively. It is remarkable that the interfaces have ordered vacancies on one-third of the Al/Si position in L1, as shown here by analytical scanning transmission electron microscopy and ab initio calculations. This unique interface is coined the out-of-plane compositional-gradient with in-plane vacancy-ordering and can perfectly transform the in-plane lattice atomic configuration from the SiC substrate to the AlN NL within 1 nm thick transition. This transmorphic epitaxial scheme enables a critical breakdown field of similar to 2 MV/cm achieved in thin GaN-based transistor heterostructures grown on top. Lateral breakdown voltages of 900 V and 1800 V are demonstrated at contact distances of 5 and 20 mu m, respectively, and the vertical breakdown voltage is amp;gt;= 3 kV. These results suggest that the transmorphic epitaxially grown AlN layer on SiC may become the next paradigm for GaN power electronics. (C) 2019 Author(s).

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Chen, Jr-TaiSweGaN AB, Teknikringen 8D, SE-58330 Linkoping, Sweden (författare)
  • Dahlqvist, Martin,1982-Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)marda09 (författare)
  • Kabouche, RiadInst Elect Microelect and Nanotechnol, France (författare)
  • Medjdoub, FaridInst Elect Microelect and Nanotechnol, France (författare)
  • Rosén, JohannaLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)johro07 (författare)
  • Kordina, OlofSweGaN AB, Teknikringen 8D, SE-58330 Linkoping, Sweden (författare)
  • Hultman, LarsLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)larhu75 (författare)
  • Linköpings universitetTunnfilmsfysik (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Applied Physics Letters: AMER INST PHYSICS115:220003-69511077-3118

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy