Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-30683" >
Activation of shall...
Activation of shallow boron acceptor in CB coimplanted silicon carbide : A theoretical study
-
Gali, A (författare)
-
Hornos, T (författare)
-
Deák, P (författare)
-
visa fler...
-
- Nguyen, Son Tien, 1953- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Janzén, Erik, 1954- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
Choyke, W (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2005
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 86:10, s. 102108-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Ab initio supercell calculations have been carried out to investigate the complexes of boron acceptors with carbon self-interstitials in cubic silicon carbide. Based on the calculated binding energies, the complex formation of carbon interstitials with shallow boron acceptor and boron interstitial is energetically favored in silicon carbide. These bistable boron defects possess deep, negative- U occupation levels in the band gap. The theoretical results can explain the observed activation rates in carbon-boron coimplantation experiments. © 2005 American Institute of Physics.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas