SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-46483"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-46483" > Scanning spreading ...

  • Osterman, J.Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden (författare)

Scanning spreading resistance microscopy of aluminum implanted 4H-SiC

  • Artikel/kapitelEngelska2003

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2003
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-46483
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-46483URI
  • https://doi.org/10.1016/S0921-5107(03)00018-7DOI
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-22790URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:vet swepub-contenttype
  • Ämneskategori:kon swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • QC 20100525
  • Results from the application of scanning spreading resistance microscopy (SSRM) for characterization of aluminum implanted 4H-SiC are presented. The implanted profiles are investigated electrically and morphologically as a function of post-implantation anneal conditions. The method is shown to be advantageous for measuring and optimizing the activation in many aspects with respect to existing alternative techniques: it provides information of the entire depth and Al concentration range, it is unaffected by annealing induced re-growth and/or surface roughening, and requires little sample preparation. The results indicate that the apparent activation and surface roughness do not saturate in the investigated temperature range of 1500-1650 °C. Finally, an apparent activation energy for the process of 3 eV is estimated. © 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

Ämnesord och genrebeteckningar

  • Activation
  • Implantation
  • Silicon carbide
  • SSRM
  • TECHNOLOGY
  • TEKNIKVETENSKAP

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Abtin, L.Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden (författare)
  • Zimmermann, U.Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden (författare)
  • Janson, M.S.Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden (författare)
  • Anand, SrinivasanKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT,Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden(Swepub:kth)u16fqvka (författare)
  • Hallin, ChristerLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi(Swepub:liu)chrha60 (författare)
  • Hallén, AndersKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT,Hallén, A., Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden(Swepub:kth)u11ywmz1 (författare)
  • Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, SwedenMikroelektronik och informationsteknik, IMIT (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Materials Science & Engineering102:1-3, s. 128-1310921-51071873-4944

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy